温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ISL6610CBZ-T

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6610CBZ-T
商品编号: C3655825
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.238克(g)

商品参数

商品概述

ISL6610、ISL6610A 集成了两个去除使能功能的 ISL6609、ISL6609A 驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中的两个独立电源通道驱动进行了优化。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）的 ISL63xx 或 ISL65xx 多相 PWM 控制器相结合，可在高开关频率下构成一个完整的高效稳压器。该 IC 由单个低压电源（5V）偏置，可将高 MOSFET 栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗降至最低。每个驱动器能够驱动 3nF 负载，上升/下降时间小于 10ns。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实施成本和复杂度，并允许使用性能更高、成本更低的 N 沟道 MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个 MOSFET 同时导通。 ISL6610、ISL6610A 的下栅极驱动器典型灌电流为 4A，增强了下 MOSFET 栅极在 PHASE 节点上升沿的保持能力，防止因开关节点的高 dV/dt 导致下 MOSFET 自导通而造成功率损耗。 ISL6610、ISL6610A 还具有一个可识别高阻抗状态的输入，与英特矽尔多相 PWM 控制器协同工作，可在操作暂停时防止受控输出电压出现负瞬变。此功能无需在电源系统中使用可能用于保护负载免受负输出电压损坏的肖特基二极管。此外，ISL6610A 的自举功能旨在防止当 PHASE 节点转换时出现过大的负摆幅时，BOOT 电容过充电。

商品特性

用于两个同步整流桥的 5V 四路 N 沟道 MOSFET 驱动器
与 ISL6614（12V 驱动器）引脚兼容
自适应直通保护
0.4Ω 导通电阻和 4A 灌电流能力
支持高开关频率 - 快速输出上升和下降 - 低三态保持时间
防止 BOOT 电容过充电（ISL6610A）
低正向压降内部自举二极管
上电复位
QFN 封装 - 符合 JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形 - 接近芯片级封装尺寸；提高 PCB 利用率，更薄的外形
提供无铅加退火工艺产品（符合 RoHS 标准）

应用领域

英特尔和 AMD 微处理器的核心电压电源
高频、薄型、高效 DC/DC 转换器
大电流、低电压 DC/DC 转换器
隔离式电源的同步整流

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	4
	灌电流(IOL)	4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	8ns
	工作温度	0℃~+125℃@(Tj)