SIC642CD-T1-GE3
SIC642CD-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC642CD-T1-GE3
- 商品编号
- C3655741
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护；死区时间控制；过流保护 |
商品概述
SiC642和SiC642A是针对同步降压应用优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC642采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最新的TrenchFET技术，该技术具有行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC642和SiC642A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5 V和3.3 V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。SiC642和SiC642A提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。
商品特性
- 高效：
- 热增强型PowerPAK MLP55 - 31L封装
- Vishay最新的TrenchFET技术和集成肖特基二极管的低侧MOSFET
- 集成、低阻抗自举开关
- 针对12 V输入级优化的功率MOSFET
- 支持PS4模式轻载要求，关断电源电流低（5 V，3 μA）
- 零电流检测，提高轻载效率
- 高度通用：
- 具有三态和延迟定时器的5 V和3.3 V PWM逻辑
- 支持PS4状态的5 V DSBL#、ZCD_EN#逻辑
- 高达2 MHz的高频操作
- 坚固可靠：
- 可提供超过50 A的连续电流、70 A峰值（10 ms）和100 A峰值（10 μs）
- 过流保护
- 过温标志
- 过温保护
- 欠压锁定保护
- 高侧MOSFET短路检测
- 有效监测和报告：
- 准确的温度报告
- 警告和故障报告标志
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- Intel核心处理器电源供应
- VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT
- VCCGI
- 高达16 V轨输入的DC/DC VR模块