BTS7741G

BTS 7741 G 是 TrilithIC 系列产品的一员，该系列产品在一个封装中集成了三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTS 7741 G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTS 7741 G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低 RDSON 垂直 DMOS 功率级与 CMOS 控制电路相结合。高端开关具备全面保护功能，并集成了控制和诊断电路。低端开关同样具备全面保护功能，其等效标准产品为 BSP 77。 与 BTS 7740 G 相比，BTS 7741 G 具备关断模式下的开路负载检测功能，且电流限制略有提高。

• 四路 D - MOS 开关驱动器
• 可自由配置为桥接或四路开关
• 针对直流电机管理应用进行优化
• 低 RDSON：高端开关 110 mΩ，低端开关 100 mΩ（25 ℃ 时的典型值）
• 最大峰值电流：25 ℃ 时典型值为 10 A
• 极低的静态电流：25 ℃ 时典型值为 5 μA
• 小外形、增强功率的 P - DSO 封装
• 全面的短路保护
• 最高可在 40 V 电压下工作
• 状态标志诊断
• 带迟滞功能的过温关断
• 内部钳位二极管
• 关断模式下的开路负载检测
• 带迟滞功能的欠压检测
• 最高 1 kHz 的 PWM 频率