BTS7710G
商品参数
参数完善中
商品概述
BTS 7710 G 是 TrilithIC 系列的一部分，该系列在一个封装中包含三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTS 7710 G 可用于 H 桥以及其他任何配置。双高端开关采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低 RDSON 垂直 DMOS 功率级与 CMOS 控制电路相结合。高端开关具有全面保护功能，并包含控制和诊断电路。为实现低 RDSON 和快速开关性能，低端开关采用 S-FET 逻辑电平技术制造。等效标准产品是 BUZ 103 SL。 与采用 P-TO263-15 封装、由相同芯片组成的 BTS 7710 GP 相比，P-DSO-28-14 封装外形更小，对于不需要 P-TO263-15 散热特性的应用，价格更低。
商品特性
- 四路 D-MOS 开关驱动器
- 可自由配置为桥接或四路开关
- 针对直流电机管理应用进行优化
- 低 RDSON：高端开关 70 mΩ，低端开关 40 mΩ（25 ℃ 时的典型值）
- 最大峰值电流：25 ℃ 时典型值为 15 A
- 极低的静态电流：25 ℃ 时典型值为 5 μA
- 小外形、增强功率的 P-DSO 封装
- 负载和接地短路保护
- 最高工作电压达 40 V
- 状态标志诊断
- 带迟滞功能的过温关断
- 内部钳位二极管
- 用于外部电流检测的隔离源极
- 带迟滞功能的欠压检测
- 最高 50 kHz 的 PWM 频率