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IR21814PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR21814PBF

IR21814PBF

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商品型号
IR21814PBF
商品编号
C3655755
商品封装
DIP-14​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.8A
属性参数值
拉电流(IOH)1.4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

IR2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在使驱动器的交叉导通最小化。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高可承受600V电压。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,最高可在+600V下完全工作,耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10至20V
  • 双通道欠压锁定
  • 兼容3.3V和5V输入逻辑
  • 双通道传播延迟匹配
  • 逻辑地和功率地偏移±5V
  • 较低的di/dt栅极驱动器,具有更好的抗噪性
  • 输出源/灌电流能力为1.4A/1.8A
  • 也提供无铅(PbF)版本

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