- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIC641CD-T1-GE3
SIC641CD-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC641CD-T1-GE3
- 商品编号
- C3655637
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
SiC641和SiC641A是为同步降压应用优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC641和SiC641A采用Vishay专有的5毫米x 5毫米MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达55A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最新的TrenchFET技术，该技术提供了行业基准性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC641和SiC641A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。SiC641和SiC641A提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。
商品特性
- 高效
- 热增强型PowerPAK MLP55 - 31L封装
- Vishay最新的TrenchFET技术和集成肖特基二极管的低侧MOSFET
- 集成、低阻抗自举开关
- 针对12V输入级优化的功率MOSFET
- 支持PS4模式轻载要求，关断电源电流低（5V，3μA）
- 零电流检测以提高轻载效率
- 高度通用
- 具有三态和延迟定时器的5V和3.3V PWM逻辑
- 支持PS4状态的5V DSBL#、ZCD_EN#逻辑
- 高达2MHz的高频操作
- 坚固可靠
- 可提供超过55A的连续电流、70A峰值（10ms）和100A峰值（10μs）
- 过流保护
- 过温标志
- 过温保护
- 欠压锁定保护
- 高侧MOSFET短路检测
- 有效监测和报告
- 准确的温度报告
- 警告和故障报告标志
应用领域
- 用于计算、显卡和内存的多相VRD
- VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT
- VCCGI
- 高达16V轨输入DC/DC VR模块