商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 9V~16.5V | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HIP2106 是一款高频、100V 半桥 N 沟道 MOSFET 驱动 IC，采用 8 引脚塑料 SOIC 封装。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为 8ns。这为用户在死区时间选择和驱动协议方面提供了最大的灵活性。低端和高端电源均具备欠压保护功能，可强制输出为低电平。片上二极管省去了其他驱动 IC 所需的分立二极管。一种新型电平转换器拓扑结构结合了脉冲操作的低功耗优势和直流操作的安全性。与一些竞品不同，在高端电源短暂欠压后，高端输出能恢复到正确状态。
商品特性
- 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
- 节省空间的 SO8 封装
- 自举电源最大电压可达 116VDC
- 片上集成 1Ω 自举二极管
- 满足多兆赫兹电路所需的快速传播时间
- 在 500kHz 频率下驱动 1000pF 负载，典型上升和下降时间为 20ns
- CMOS 输入阈值，提高抗噪能力
- 适用于非半桥拓扑的独立输入
- 无启动问题
- 输出不受电源毛刺、高端振铃低于地电位或高端高 dv/dt 摆幅的影响
- 低功耗
- 宽电源范围
- 电源欠压保护
- 3Ω 输出电阻
应用领域
- 电信半桥电源
- 双开关正激变换器
- 有源钳位正激变换器
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