HIP6602ACB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 580mA | |
| 拉电流(IOH) | 730mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
HIP6602A是一款高频双功率通道MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动四个功率N沟道MOSFET而设计。该器件有14引脚SOIC封装或带散热焊盘的16引脚QFN封装可供选择，散热焊盘可增强封装的散热性能。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx系列多相降压PWM控制器以及MOSFET相结合，可为先进微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 HIP6602A可在5V至12V的范围内驱动上、下栅极。这种驱动电压的灵活性在优化应用时具有优势，可在开关损耗和传导损耗之间进行权衡。 HIP6602A中的输出驱动器能够在高频下高效切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。该器件在上栅极采用自举电路，每个功率通道仅需一个外部电容。这降低了实现复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。
商品特性
- 驱动四个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 内部自举器件
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
- 小型14引脚SOIC封装
- 更小的16引脚QFN散热增强型封装
- 5V至12V栅极驱动电压，实现最佳效率
- 用于桥接关断的三态输入
- 电源欠压保护
应用领域
- 英特尔奔腾III和AMD速龙微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低压DC/DC转换器
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