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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS21962SPBF

IRS21962SPBF

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商品型号
IRS21962SPBF
商品编号
C3655635
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.348克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)500mA
属性参数值
拉电流(IOH)500mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)25ns
下降时间(tf)25ns
工作温度-55℃~+125℃@(Tj)

商品概述

IRS21962是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,其输出通道的传播延迟相匹配。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。浮动逻辑输入与标准5V CMOS或LSTTL逻辑兼容,且可在高于COM地600V的电压下工作。输出驱动器具有一个500mA的高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压可高于COM地600V。

商品特性

  • 两个独立的高端输出通道
  • 带下拉电阻的CMOS施密特触发器输入
  • 5V兼容逻辑电平输入
  • 抗–Vs尖峰,耐受dVs/dt和dVss/dt
  • 典型工作频率200kHz
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF

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