HIP6602ACBT-T

HIP6602B是一款高频双功率通道MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动四个功率N沟道MOSFET而设计。该器件有14引脚SOIC封装或带散热焊盘的16引脚QFN封装可供选择，散热焊盘可增强封装的散热性能。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx系列多相降压PWM控制器以及MOSFET相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节解决方案。 HIP6602B可在5V至12V的范围内驱动上、下栅极。这种驱动电压的灵活性有利于在开关损耗和传导损耗之间进行权衡，从而优化应用。 HIP6602B中的输出驱动器能够在高频下高效地切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF的负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。该器件通过为每个功率通道配备一个外部电容和电阻，实现上栅极的自举功能。这降低了实现的复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。

• 驱动四个N沟道MOSFET
• 自适应直通保护
• 内部自举器件
• 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
• 小型14引脚SOIC封装
• 更小的16引脚热增强型QFN封装
• 5V至12V栅极驱动电压，实现最佳效率
• 用于桥接关断的三态输入
• 电源欠压保护
• 提供无铅加退火工艺产品（符合RoHS标准）
• QFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高了PCB效率，且外形更薄

• 英特尔奔腾III和AMD速龙微处理器的核心电压电源
• 高频、薄型DC/DC转换器
• 大电流、低电压DC/DC转换器