1EDN7136GXTMA1
1EDN7136GXTMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDN7136GXTMA1
- 商品编号
- C3655297
- 商品封装
- VSON-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.2V~11V | |
| 上升时间(tr) | 5.5ns | |
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
EDN x G 是一款单通道栅极驱动器 IC，针对驱动英飞凌 CoolGaN 肖特基栅极高电子迁移率晶体管（HEMT）以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行了优化。该栅极驱动器具备多项关键特性，可实现采用快速开关晶体管的高性能系统设计，包括真差分输入（TDI）、四种驱动强度选项、有源密勒钳位、自举电压钳位和可调电荷泵。
商品特性
- 针对驱动 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行优化
- 全差分逻辑输入电路，可避免在低端或高端操作中出现误触发
- 高端操作时具有高达 ± V 的高共模输入电压范围（CMR）
- 对共模电压转换具有高抗扰度（ V/ns），可在快速开关期间实现稳定运行
- 与 3.3 V 或 5 V 输入逻辑兼容
- 四种驱动强度变体，无需外部栅极电阻即可优化开关速度，源/灌电流能力高达 A
- 有源自举钳位，可避免在死区时间内自举电容过充电
- 具备 A 灌电流能力的有源密勒钳位，可避免感应导通
- 可调电荷泵，用于产生负关断电源电压
- 根据 JEDEC 的相关测试，适用于工业应用
应用领域
- 单通道：同步整流器、E 类谐振无线电源
- 半桥（2 x EDN x G）：DC-DC 转换器、无刷直流（BLDC）/永磁同步电机（PMSM）驱动器、D 类音频放大器、D 类谐振无线电源
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
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