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IR25601SPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR25601SPBF

IR25601SPBF

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商品型号
IR25601SPBF
商品编号
C3655379
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)130mA
属性参数值
拉电流(IOH)60mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)60ns
下降时间(tf)20ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

IR25601 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,最低可支持 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高工作电压可达 600V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作而设计
  • 最高可在 +600V 下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 10 至 20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
  • 具备交叉导通预防逻辑
  • 内部设置死区时间(100ns)
  • 输出与输入同相
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器,具备更好的抗噪声能力

数据手册PDF

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