HIP6601CB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
HIP6601和HIP6603是高频双MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP630x多相降压PWM控制器和英特矽尔（Intersil）UltraFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 HIP6601将同步整流桥中的下栅极驱动至12V，而上栅极可在5V至12V的范围内独立驱动。HIP6603可将上、下栅极在5V至12V的范围内驱动。这种驱动电压的灵活性在涉及开关损耗和传导损耗权衡的应用中具有优化优势。 HIP6601和HIP6603中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF的负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。两款产品仅需一个外部电容器即可对上栅极实现自举。这降低了实施复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。 HIP6601和HIP6603双MOSFET驱动器专为通用性和速度而设计，可通过一个外部提供的PWM信号控制高端和低端N沟道FET。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 内部自举器件
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
- 小型8引脚SOIC封装
- 双栅极驱动电压以实现最佳效率
- 用于桥接关断的三态输入
- 电源欠压保护
应用领域
- 英特尔奔腾III、AMD速龙微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC-DC转换器
- 大电流低压DC-DC转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单