温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM5113SDX/NOPB
半桥GaN驱动器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5113SDX/NOPB
- 商品编号
- C3655383
- 商品封装
- WSON-10(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 7ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 1.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 28ns | |
| 传播延迟 tpHL | 26.5ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.89V~2.18V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.48V~1.76V | |
| 静态电流(Iq) | 70uA |
商品概述
LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓(GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达100V 的增强模式GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压，并在内部将其钳位在5.2V，从而防止栅极电压超出增强模式GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与TTL 逻辑兼容，并且无论VDD 电压如何，最高都能够承受14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出，可独立灵活地调节开通和关断强度。此外，LM5113 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数MHz。LM5113 采用标准的WSON - 10 引脚封装和12 凸点DSBGA 封装。WSON - 10 引脚封装包含外露焊盘，有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点，并且封装电感极低。
商品特性
- 独立的高侧和低侧
- TTL 逻辑输入
- 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
- 高侧浮动偏置电压轨
- 工作电压高达100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的开通/关断强度
- 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为28ns）
- 出色的传播延迟匹配（典型值为1.5ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
应用领域
- 商用通信整流器
- 商用直流/直流转换器
- 闭环步进电机驱动器
- 基带单元(BBU)
- 宏远程无线电单元(RRU)