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LM5104M

带自适应延迟的高压半桥栅极驱动器

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描述: LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5104M
商品编号: C3655540
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

LM5104高压栅极驱动器专为在同步降压配置中驱动高端和低端N沟道MOSFET而设计。浮动高端驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。高端和低端栅极驱动器由单个输入控制。每个状态变化都以自适应方式进行控制，以防止直通问题。除了自适应转换时序外，还可以根据外部设置电阻按比例增加额外的延迟时间。集成了高压二极管，用于为高端栅极驱动自举电容充电。强大的电平转换器可高速运行，同时功耗较低，并能将控制逻辑的电平干净地转换到高端栅极驱动器。低端和高端电源轨均设有欠压锁定功能。该器件提供标准的SOIC-8引脚和LLP-10引脚封装。

商品特性

可驱动高端和低端N沟道MOSFET
自适应上升和下降沿，具备可编程额外延迟
单输入控制
自举电源电压范围高达118V DC
快速关断传播延迟（典型值25 ns）
驱动1000 pF负载时，上升和下降时间为15 ns
电源轨欠压锁定

应用领域

电流馈电推挽式电源转换器
高压降压稳压器
有源钳位正激式电源转换器
半桥和全桥转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.6A
	工作电压	9V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	600ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpHL	25ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.2V
	静态电流(Iq)	400uA