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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DRV8770RGER

100V有刷直流栅极驱动器

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描述
DRV8770 100V H 桥栅极驱动器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
DRV8770RGER
商品编号
C3655708
商品封装
VQFN-24(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0755克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)750mA
属性参数值
工作电压5V~20V
上升时间(tr)24ns
下降时间(tf)12ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)800uA

商品概述

DRV8770器件具有两个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。在GVDD驱动低侧MOSFET栅极的同时,集成式自举二极管和外部电容器可为高侧MOSFET生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达750mA的栅极驱动拉电流和1.5A的栅极驱动灌电流。 栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx相位引脚能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源的BSTx和GHx引脚可承受更高的正电压瞬变(绝对最大值为115V)。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

商品特性

  • 100V H桥栅极驱动器
  • 驱动N沟道MOSFET (NMOS)
  • 栅极驱动器电源 (GVDD): 5 - 20V
  • MOSFET电源 (SHx) 支持高达100V的电压
  • 集成自举二极管
  • 支持反相和同相INLX输入 (QFN封装)
  • 自举栅极驱动架构
  • 750mA拉电流
  • 1.5A灌电流
  • 支持由高达15节串联电池供电的应用
  • SHx引脚具有低漏电流(小于55μA)
  • 绝对最大BSTx电压高达115V
  • SHx引脚瞬态负压可达 - 22V
  • 针对QFN封装,可通过DT引脚调节死区时间
  • 针对TSSOP封装,固定插入200ns死区时间
  • 支持3.3V和5V逻辑输入(绝对最大值为20V)
  • 4ns典型传播延迟匹配
  • 紧凑型QFN和TSSOP封装和尺寸
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
  • BST欠压锁定 (BSTUV)
  • GVDD欠压 (GVDDUV)

应用领域

  • 电动自行车、电动踏板车和电动汽车
  • 无线园艺和电动工具、割草机
  • 无线真空吸尘器
  • 无人机、机器人和遥控玩具
  • 工业和物流机器人
  • 电动工具

优惠活动

  • 9.9

    购买数量

    (3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个3000个/圆盘

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