DRV8770RGER
100V有刷直流栅极驱动器
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- 描述
- DRV8770 100V H 桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DRV8770RGER
- 商品编号
- C3655708
- 商品封装
- VQFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 750mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 24ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 800uA |
商品概述
DRV8770器件具有两个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。在GVDD驱动低侧MOSFET栅极的同时,集成式自举二极管和外部电容器可为高侧MOSFET生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达750mA的栅极驱动拉电流和1.5A的栅极驱动灌电流。 栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx相位引脚能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源的BSTx和GHx引脚可承受更高的正电压瞬变(绝对最大值为115V)。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
商品特性
- 100V H桥栅极驱动器
- 驱动N沟道MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD): 5 - 20V
- MOSFET电源 (SHx) 支持高达100V的电压
- 集成自举二极管
- 支持反相和同相INLX输入 (QFN封装)
- 自举栅极驱动架构
- 750mA拉电流
- 1.5A灌电流
- 支持由高达15节串联电池供电的应用
- SHx引脚具有低漏电流(小于55μA)
- 绝对最大BSTx电压高达115V
- SHx引脚瞬态负压可达 - 22V
- 针对QFN封装,可通过DT引脚调节死区时间
- 针对TSSOP封装,固定插入200ns死区时间
- 支持3.3V和5V逻辑输入(绝对最大值为20V)
- 4ns典型传播延迟匹配
- 紧凑型QFN和TSSOP封装和尺寸
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性
- BST欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD欠压 (GVDDUV)
应用领域
- 电动自行车、电动踏板车和电动汽车
- 无线园艺和电动工具、割草机
- 无线真空吸尘器
- 无人机、机器人和遥控玩具
- 工业和物流机器人
- 电动工具
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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