ISL6614BCB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.25A | |
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
ISL6614B集成了两个ISL6613B MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动两路MOSFET。该驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节解决方案。 ISL6614B具有7V的上升阈值，可在5V至12V的范围内同时驱动上、下栅极。这种驱动电压提供了必要的灵活性，可优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用。该驱动器针对IBA系统的负载点（POL）DC/DC转换器进行了优化。 集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时相位节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受低端MOSFET的阈值限制，如果在上电启动期间高端MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。 ISL6614B还具有三态PWM输入，与英特矽尔（Intersil）的多相PWM控制器配合使用，可在输出关闭时防止输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。
商品特性
- 与HIP6602 SOIC系列引脚兼容
- 用于两个同步整流桥的四路N沟道MOSFET驱动器
- 适用于IBA应用的低VCC上升阈值（7V）
- 先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON)传导偏移效应自动归零
- 可调栅极电压（5V至12V）以实现最佳效率
- 内部自举肖特基二极管
- 防止自举电容过充
- 支持高开关频率（高达1MHz） - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
- 用于输出级关断的三态PWM输入
- 满足电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
- 上电复位（POR）前过压保护
- VCC欠压保护
- 可扩展的底部铜焊盘，用于增强散热
- QFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高了PCB效率并具有更薄的外形
- 提供无铅产品（符合RoHS标准）
应用领域
- 针对IBA系统的负载点（POL）DC/DC转换器进行优化
- 英特尔和AMD微处理器的核心稳压器
- 大电流DC/DC转换器
- 高频高效的电压调节模块（VRM）和电压调节装置（VRD）
优惠活动
购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
近期成交0单