ISL6206CB-T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 1.1A | |
| 拉电流(IOH) | 700mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 工作温度 | -10℃~+85℃ |
商品概述
ISL6206是一款高压、高频双MOSFET驱动器，专为在移动计算应用的同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET而设计。该驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案。 ISL6206具有三态PWM输入，与任何英特矽尔多相PWM控制器配合使用时，可在输出关闭时防止输出电压出现负瞬变。这一特性省去了微处理器电源系统中通常用于保护微处理器免受输出电压反向损坏的肖特基二极管。 ISL6206中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为15ns，转换时间为20ns。该产品在上栅极采用自举技术，降低了实现复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6206双MOSFET驱动器通过一个外部提供的PWM信号控制高端和低端N沟道FET。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 30V工作电压
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟15ns
- 用于输出级关断的三态输入
- 内部自举肖特基二极管
应用领域
- 英特尔（Intel）和AMD移动微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC-DC转换器
- 大电流低输出电压DC-DC转换器
- 高输入电压DC-DC转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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