R2J20608NP#G2

R2J20608NP多芯片模块在单个QFN封装中集成了一个高端MOS FET、一个低端MOS FET和一个MOS FET驱动器。内置驱动器优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了一个高端自举开关，无需为此目的使用外部SBD。

• 基于英特尔8×8 DrMOS规范。
• 内置适用于台式机、服务器应用的功率MOS FET。
• 带有内置SBD的低端MOS FET，可降低损耗并减少振铃。
• 与功率MOS FET匹配的内置驱动电路。
• 内置三态输入功能，可支持多种PWM控制器。
• 可进行高频操作（高于1 MHz）。
• VIN工作电压范围：最大20 V。
• 大平均输出电流，实现低功耗（最大50 A）。
• 可控驱动器：远程开/关。
• 用于DCM操作的低端MOS FET禁用功能。
• 双重热保护：热警告和热关断。
• 内置自举开关。
• 小封装：QFN56 8mm×8mm×0.95mm。
• 引脚无铅/无卤。

• 台式机/服务器应用