R2J20651ANP#13

R2J20651ANP多芯片模块在单个QFN封装中集成了一个高端MOS FET、一个低端MOS FET和一个MOS FET驱动器。内置驱动器优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了一个高端自举肖特基势垒二极管（SBD），无需为此目的使用外部SBD。 DrMOS多芯片模块在单个QFN封装中集成了一个高端MOS FET、一个低端MOS FET和一个MOS FET驱动器。由于每个芯片之间的寄生电感极小，该模块非常适合用于高频运行的降压转换器。高端MOS FET、低端MOS FET和驱动器之间的控制时序经过优化，因此在低输出电压下可实现高效率。

• 符合英特尔6x6 DrMOS规格
• 内置适用于5 V/12 V输入应用的功率MOS FET
• 内置与功率MOS FET匹配的驱动电路
• 内置三态输入功能，可支持多种PWM控制器
• VIN工作电压范围：最大16 V
• 可进行高频操作（高于1 MHz）
• 平均输出电流大（最大35 A）
• 实现低功耗
• 可控驱动器：远程开/关
• 具有用于DCM操作的低端MOS FET禁用功能
• 内置热警告
• 内置自举肖特基二极管
• 小封装：QFN40（6 mm x 6 mm x 0.95 mm）
• 引脚无铅/无卤

• 12 V输入电源
• 5 V输入电源