CSD95377Q4MT
CSD95377Q4MT
- 描述
- CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD95377Q4MT
- 商品编号
- C3655430
- 商品封装
- VSON-8(3.5x4.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 功能特性 | 内置自举二极管;交错导通保护 |
商品概述
CSD95377Q4M NexFET™功率级针对高功率、高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,可实现功率级开关功能。此驱动器IC具有内置可选二极管仿真功能,支持非连续导通模式(DCM)运行,可提高轻负载效率。该产品在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效率和高速开关功能。此外,PCB封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。
商品特性
- 电流为15A时的效率约为 94%
- 最大额定持续电流35A
- 高频运行(高达2MHz)
- 高密度 3.5mm × 4.5mm SON封装
- 超低电感封装
- 系统优化的PCB封装
- 兼容3.3V和5V PWM信号
- 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
- 输入电压最高可达 16V
- 三态PWM输入
- 集成型自举二极管
- 击穿保护
- 符合RoHS环保标准,无铅引脚镀层
- 无卤素
应用领域
- 服务器、网络互联和电信系统中的负载点同步降压
- 多相 Vcore、双倍数据速率 (DDR) 和图形解决方案


