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EPC23101ENGRT
EPC23101ENGRT
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC23101ENGRT
- 商品编号
- C3655444
- 商品封装
- QFN-14(3.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~80V | |
| 下降时间(tf) | 1.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
EPC23101 ePower™ IC将半桥栅极驱动器与内部高端FET集成在一起。它被设计为芯片组的一部分，与配套的低端eGaN FET（如EPC2302）配合使用。集成采用EPC专有的GaN IC技术实现。高端单片芯片集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路，以及一个高端eGaN输出FET。低端输出FET由GaN IC的栅极驱动器输出驱动，以配置半桥功率级。 片上栅极驱动缓冲器实际上消除了共源电感和栅极驱动环路电感的影响。通过兼容的高端到低端引脚配置，使功率环路电感最小化，便于采用最佳布局技术。开关时间由外部电阻调节，在满载电流下，从0 - 48 V的上升和下降时间可达到1 - 3 ns。通过选择调谐电阻R_BOOT和R_DRV，在硬开关转换期间，过压尖峰可控制在高于电源轨+10 V和低于地-10 V以内。 EPC23101 IC仅需一个外部5V V_DRV电源。内部低端和高端电源V_DD和V_BOOT通过串联开关从外部电源产生。通过在EN引脚施加5V电压关闭开关，可以切断内部电源以节省静态功耗。 浮动自举电源的充电路径由LSIN逻辑激活。它使用eGaN FET作为串联开关，通过消除反向恢复来最小化功率损耗。这种同步自举充电电路还能最小化充电路径中的电压降。 从低端到高端通道的稳健电平转换器设计为即使在大的负钳位电压下也能正常工作，并避免由快速dv/dt瞬变（包括由外部源或其他相位驱动的瞬变）引起的误触发。 高端和低端欠压锁定功能提供保护，在低电源电压时使两个FET都关断。如果在V_IN大于10 V且处于激活状态时，电源电压进一步下降或丢失，另一个有源下拉电路将利用V_IN进行偏置，以防止由于栅极到漏极的泄漏导致两个FET破坏性导通。 EPC23101 IC能够与使用标准3.3 V或5 V CMOS逻辑电平的数字控制器接口。独立的高端和低端逻辑控制输入允许外部控制器设置固定或自适应死区时间，以实现最佳运行效率。交叉导通防止逻辑在逻辑输入同时为高电平时使两个FET都关断。 FET栅极驱动电压来自内部低端和高端电源。只有在HS_IN和LS_IN PWM输入开始运行几个周期后，才能获得完整的栅极驱动电压。
商品特性
- 集成高端eGaN FET，带有内部栅极驱动器和电平转换器
- 5 V外部偏置电源
- 3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
- 独立的高端和低端控制输入
- 交叉导通锁定逻辑，当逻辑输入同时为高电平时使两个FET都关断
- 外部电阻可调节SW开关时间以及电源轨上下的过压尖峰
- 稳健的电平转换器，适用于硬开关和软开关条件
- 对快速开关瞬变具有抗误触发能力
- 高端自举电源同步充电
- 当V_00禁用输入引脚拉高时，外部V_DRV电源提供低静态电流模式
- 内部低端和高端偏置电源欠压锁定
- 当V_DRV电源丢失时，HS FET和LS栅极驱动采用有源栅极下拉
- QFN封装的兼容高端和低端器件芯片组，两个器件之间引脚布局经过优化
应用领域
- 降压、升压、半桥、全桥或LLC转换器
- 电机驱动逆变器