R2J20656ANP#G0

R2J20656ANP多芯片模块在单个QFN封装中集成了高端MOS FET、低端MOS FET和MOS FET驱动器。内置驱动器优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了高端自举开关，无需为此目的使用外部SBD。 DrMOS多芯片模块在单个QFN封装中集成了高端MOS FET、低端MOS FET和MOS FET驱动器。由于每个芯片之间的寄生电感极小，该模块非常适合用于高频运行的降压转换器。优化了高端MOS FET、低端MOS FET和驱动器之间的控制时序，以便在低输出电压下实现高效率。

• 符合英特尔6×6 DrMOS规范。
• 内置适用于笔记本电脑、台式机、服务器应用的功率MOS FET。
• 带有内置SBD的低端MOS FET，可降低损耗并减少振铃。
• 内置与功率MOS FET匹配的驱动电路。
• 内置三态输入功能，可支持多种PWM控制器。
• 可进行高频操作（高于1 MHz）。
• VIN工作电压范围：最大27 V。
• 平均输出电流大（最大35 A）。
• 实现低功耗。
• 可控驱动器：远程开/关。
• 用于二极管仿真操作的零电流检测。
• 双重热保护：热警告和热关断。
• 内置自举开关。
• 小封装：QFN40（6 mm×6 mm×0.95 mm）。
• 无铅/无卤。