TDA21520AUMA1

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；

TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。

内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。

保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。

高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。

TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

• 集成驱动器、有源二极管、高端MOSFET和低端MOSFET
• 输入电压范围为4.25 V至16 V
• VCC电源为4.25 V至5.5 V
• 输出电压范围从0.225 V到5.5 V
• 输出电流能力为20 A
• 最高运行频率达1.5 MHz
• VCC欠压锁定（UVLO）
• 自举欠压保护
• 片上MOSFET电流感测和报告，增益为5 μA/A
• 过温保护和热关断
• 逐周期过流保护和标志
• 高端MOSFET短路检测和标志
• 自举电容自动补充
• 与3.3 V三态PWM输入兼容
• PWM三态20 μs后自动进入睡眠模式（典型值1.7 mA）
• 通过EN =低电平实现深度睡眠模式以节省功耗（典型值32 μA）
• 小型4 mm x 5 mm x 0.9 mm PQFN封装
• 无铅、符合RoHS标准的封装