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ISL6608CBZ
ISL6608CBZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL6608CBZ
- 商品编号
- C3655503
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
ISL6608是一款高频MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。该驱动器与英特矽尔（Intersil）的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器相结合，可为先进微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案，在高开关频率下具备高效性能。 该IC由单一低压电源（5V）偏置，可最大程度减少高开关频率应用中因MOSFET栅极电荷导致的栅极驱动损耗。每个驱动器能够驱动3000pF负载，具有低传播延迟和小于10ns的转换时间。该产品通过内部自举肖特基二极管对高端栅极进行自举，降低了实施成本和复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6608的低端栅极驱动器具备4A灌电流能力，能够在相位节点上升沿期间保持低端MOSFET栅极电压，防止因相位节点的高dv/dt导致的直通功率损耗。 ISL6608还具备三态PWM输入，与英特矽尔多相PWM控制器配合使用时，可防止输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能无需在微处理器电源系统中通常用于保护微处理器免受输出电压反向影响的肖特基二极管。 ISL6608集成了二极管仿真功能，可提高轻载条件下的转换器效率。二极管仿真还可防止在输出端存在预偏置电压的情况下启动时出现负瞬变。启用二极管仿真功能后，驱动器可通过检测电感电流何时达到零来实现不连续导通模式，并随后关断低端MOSFET，从而防止输出端吸收电流并避免在预偏置输出端产生负瞬变。
商品特性
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 自适应直通保护
- 0.5Ω导通电阻和4A灌电流能力
- 支持高达2MHz的高开关频率 - 快速输出上升/下降时间和低传播延迟
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流（5V，80μA）
- 用于提高轻载效率和预偏置启动应用的二极管仿真
- 集成VCC上电复位（POR）功能
- 低三态关断延迟时间（典型值160ns）
- 与ISL6605引脚兼容
- QFN封装：符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，可提高PCB效率并具有更薄的外形
- 可选无铅版本
应用领域
- FPGA和PowerPC微处理器的核心电压电源
- 有预偏置启动要求的负载点模块
- 高频大电流DC - DC转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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