ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。
ISL6208的下栅极驱动器典型灌电流为4A。该电流能够在相位节点上升沿期间使下MOSFET栅极保持关断状态，防止因相电压高dv/dt导致的直通功率损耗。其工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。
ISL6208还具备三态PWM输入，与英特矽尔的多相PWM控制器协同工作，可防止CPU关机期间出现负电压输出。这一特性省去了微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管。
使用ISL6208可高效切换MOSFET栅极，频率高达2MHz。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，转换时间小于10ns。采用内部肖特基二极管实现自举，降低了系统成本和复杂度，同时允许使用更高性能的MOSFET。集成了自适应直通保护功能，防止两个MOSFET同时导通。
ISL6208集成了二极管仿真功能，可在轻载条件下提高转换器效率。该功能还允许在预偏置输出情况下实现单调启动。启用二极管仿真时，驱动器通过检测电感电流何时达到零并随后关断低端MOSFET栅极，实现不连续导通模式。
