商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品概述
ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。 ISL6208的下栅极驱动器典型灌电流为4A。该电流能够在相位节点上升沿期间使下MOSFET栅极保持关断状态，防止因相电压高dv/dt导致的直通功率损耗。其工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。 ISL6208还具备三态PWM输入，与英特矽尔的多相PWM控制器协同工作，可防止CPU关机期间出现负电压输出。这一特性省去了微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管。 使用ISL6208可高效切换MOSFET栅极，频率高达2MHz。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，转换时间小于10ns。采用内部肖特基二极管实现自举，降低了系统成本和复杂度，同时允许使用更高性能的MOSFET。集成了自适应直通保护功能，防止两个MOSFET同时导通。 ISL6208集成了二极管仿真功能，可在轻载条件下提高转换器效率。该功能还允许在预偏置输出情况下实现单调启动。启用二极管仿真时，驱动器通过检测电感电流何时达到零并随后关断低端MOSFET栅极，实现不连续导通模式。
商品特性
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 自适应直通保护
- 0.5Ω导通电阻和4A灌电流能力
- 支持高达2MHz的高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低传播延迟
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流（5V，80μA）
- 二极管仿真，提高轻载效率和预偏置启动应用性能
- 集成VCC POR（上电复位）功能
- 低三态关断延迟时间（典型值160ns）
- 与ISL6207引脚兼容
- QFN和DFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）标准
- 封装外形为DFN（双扁平无引脚）
- 接近芯片级封装尺寸，提高PCB效率且外形更薄
- 无铅（符合RoHS标准）
应用领域
- 英特尔和AMD移动微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低输出电压DC/DC转换器
- 高输入电压DC/DC转换器
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