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NCP81085MTTXG

双路MOSFET栅极驱动器

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描述: NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需使用外部分立二极管。高悬浮高端驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP81085MTTXG
商品编号: C3655494
商品封装: WDFN-9(4x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

商品概述

NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需外部分立二极管。高悬浮顶部驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压。低端和高端驱动器独立控制，导通和关断时间匹配至4 ns。高端和低端驱动器均设有独立的欠压锁定（UVLO）功能，当驱动电压低于特定阈值时，强制输出为低电平。

商品特性

可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
悬浮顶部驱动器可承受高达180 V的升压电压
开关频率高达1 MHz
传播延迟时间为20 ns
灌电流和拉电流输出均为4 A
带1000 pF负载时，上升时间为8 ns，下降时间为7 ns
具备欠压锁定（UVLO）保护
工作温度范围为 -40℃至140℃
采用WDFN9（MT）封装
该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

应用领域

电信和数据通信
隔离和非隔离电源架构
D类音频放大器
双开关和有源钳位正激转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	8.5V~20V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	7ns
	工作温度	-40℃~+140℃