UCC27211A驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器，但该器件在性能上有显著提升。其峰值输出上拉和下拉电流提升至4 A源电流和4 A灌电流，上拉和下拉电阻降至0.9 Ω，从而能够驱动大功率MOSFET，在MOSFET穿越米勒平台的过渡过程中，将开关损耗降至最低。输入结构可直接承受–10 VDC，增强了器件的稳健性，还能在不使用整流二极管的情况下直接与栅极驱动变压器连接。输入还不受电源电压影响，最大额定值为20 V。
UCC27211A的开关节点（HS引脚）最大可承受–18 V，这使得高端通道能够抵御由寄生电感和杂散电容引起的固有负电压。UCC27210A（伪CMOS输入）和UCC27211A（TTL输入）的迟滞增加，能够与模拟或数字PWM控制器连接，增强了抗噪能力。
低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断之间的匹配时间为2 ns。
片上额定电压为120 V的自举二极管省去了外部分立二极管。高端和低端驱动器均具备欠压锁定功能，可实现对称的导通和关断行为，若驱动电压低于指定阈值，将强制输出为低电平。
UCC27211A器件采用8引脚SOIC（D）和8引脚VSON（DRM）封装。
