HIP6603ACB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 730mA | |
| 拉电流(IOH) | 730mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
HIP6601A、HIP6603A 和 HIP6604 是高频双 MOSFET 驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率 N 沟道 MOSFET 而设计。这些驱动器与 HIP63xx 或 ISL65xx 多相降压 PWM 控制器相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节解决方案。 HIP6601A 将同步整流器中的下栅极驱动至 12V，而上栅极可在 5V 至 12V 的范围内独立驱动。HIP6603A 可将上、下栅极在 5V 至 12V 的范围内驱动。这种驱动电压的灵活性在优化涉及开关损耗和传导损耗权衡的应用方面具有优势。HIP6604 可配置为 HIP6601A 或 HIP6603A。 HIP6601A、HIP6603A 和 HIP6604 中的输出驱动器能够以高达 2MHz 的频率高效切换功率 MOSFET。每个驱动器能够驱动 3000pF 的负载，传播延迟为 30ns，转换时间为 50ns。这些产品仅需一个外部电容器即可实现上栅极的自举。这降低了实现复杂度，并允许使用高性能、经济高效的 N 沟道 MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个 MOSFET 同时导通。
商品特性
- 驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 自适应直通保护
- 内部自举器件
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟 30ns
- 小型 8 引脚 SOIC 和 EPSOIC 以及 16 引脚 QFN 封装
- 双栅极驱动电压以实现最佳效率
- 用于输出级关断的三态输入
- 电源欠压保护
应用领域
- 英特尔奔腾 III、AMD 速龙微处理器的核心电压电源
- 高频薄型 DC-DC 转换器
- 大电流低压 DC-DC 转换器
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