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SLG55021-200010V
高压栅极驱动器
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- 描述
- SLG55021 N沟道FET栅极驱动器用于从CMOS逻辑电平输入控制N沟道FET开关源电压的延迟导通和斜坡压摆率。作为节能型先进电源管理系统中开关电压轨的辅助控制元件，SLG55021还集成了对已断开的开关电压轨进行放电的电路。该栅极驱动器有多种配置可供选择，支持0.80 V/ms至4 V/ms的导通压摆率范围，根据1.0 V至20 V范围内的负载供电源电压，斜坡时间为200 μs至20 ms以上。斜坡开始前的延迟与源电压无关，范围为250 μs至5 ms。输出电源正常信号，以指示源电压的上升斜坡结束。此外，内部放电电路提供了一条受控路径，用于消除断开的电源轨上的电荷。SLG55021栅极驱动器采用8引脚DFN封装。当与外部N沟道FET配合使用时，SLG55021支持在1.0 V至20 V的源电压下对大电流负载进行低瞬态、节能型开关操作。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG55021-200010V
- 商品编号
- C3655342
- 商品封装
- TDFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 400uA | |
| 拉电流(IOH) | 32uA | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V~5.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 400mV | |
| 静态电流(Iq) | 7uA |
商品概述
SLG55021 N沟道FET栅极驱动器用于从CMOS逻辑电平输入控制N沟道FET开关源电压的延迟导通和斜坡压摆率。作为节能型先进电源管理系统中开关电压轨的辅助控制元件，SLG55021还集成了对已断开的开关电压轨进行放电的电路。该栅极驱动器有多种配置可供选择，支持0.80 V/ms至4 V/ms的导通压摆率范围，根据1.0 V至20 V范围内的负载供电源电压，斜坡时间为200 μs至20 ms以上。斜坡开始前的延迟与源电压无关，范围为250 μs至5 ms。输出电源正常信号，以指示源电压的上升斜坡结束。此外，内部放电电路提供了一条受控路径，用于消除断开的电源轨上的电荷。SLG55021栅极驱动器采用8引脚DFN封装。 当与外部N沟道FET配合使用时，SLG55021支持在1.0 V至20 V的源电压下对大电流负载进行低瞬态、节能型开关操作。
商品特性
- 5 V ±5% 电源
- SLG55021漏极电压范围：1.0 V至20 V
- 内部栅极电压电荷泵
- 受控导通延迟
- 受控负载放电速率
- 受控导通压摆率
- 在温度范围内具有稳定的压摆率（典型值±2%）
- TDFN-8封装
- 无铅/无卤/符合RoHS标准
应用领域
- 电源轨开关
- 热插拔应用
- 软开关
- 个人电脑和服务器
- 数据通信设备