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LF2103NTR实物图
  • LF2103NTR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LF2103NTR

半桥栅极驱动器

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描述
LF2103N是一款高压、高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2103N的高端在自举操作中能够切换至600V。LF2103N的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
LF2103NTR
商品编号
C3655350
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.174498克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)600mA
属性参数值
拉电流(IOH)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)70ns
下降时间(tf)35ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

LF2103N是一款高压、高速栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2103N高端在自举操作中可切换至600V。 LF2103N逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,旨在最大程度减少驱动器交叉导通。LF2103N具有420ns(典型值)的固定内部死区时间。 LF2103N采用SOIC(N)-8封装,工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

  • 自举操作中浮动高端驱动器可达600V
  • 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
  • 专为在嘈杂的电机应用中实现增强性能而设计
  • 290mA源极/600mA灌极输出电流能力
  • 输出耐受负瞬变
  • 420ns内部死区时间以保护MOSFET
  • 宽低端栅极驱动器电源电压:10V至20V
  • 逻辑输入(HIN和LIN*)具备3.3V驱动能力
  • 施密特触发逻辑输入
  • VCC和VBS欠压锁定(UVLO)
  • 扩展温度范围:-40℃至+125℃

应用领域

  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • AC-DC逆变器
  • 电机驱动器

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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