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DGD0579UFN-7
高频高端和低端栅极驱动器
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- 描述
- 是一款高频高端和低端栅极驱动器，带有内部自举二极管，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器在自举配置下的额定电压高达100V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU连接。高端和低端的欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护MOSFET。交叉传导预防逻辑通过防止HO和LO同时导通来保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而实现更小、更紧凑的电源开关设计，并使用更小的相关组件。为了最小化空间，集成了内部自举二极管，采用W-DFN3030-10（TH型）封装，工作温度范围扩展至 -40℃至 +125℃。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0579UFN-7
- 商品编号
- C3655396
- 商品封装
- WDFN3030-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 6.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 19ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 65ns | |
| 传播延迟 tpHL | 58ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 80uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护 |