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LMG3422R030RQZT

LMG342xR030 600V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET

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描述: LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3422R030RQZT
商品编号: C3655275
商品封装: VQFN-54(12x12)
包装方式: 编带
商品毛重: 6.5克(g)

商品参数

	属性	参数值
	特性	过流保护(OCP)；短路保护(SCP)；欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.45V
	输入低电平(VIL)	700mV~1.3V
	静态电流(Iq)	700uA

商品概述

LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。 LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3425R030 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

商品特性

符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns CMTI
2.2MHz 开关频率
30 V/ns 至 150 V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
在 7.5V 至 18V 电源下工作
响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
数字温度 PWM 输出
理想二极管模式可减少 LMG3425R030 中的第三象限损耗

应用领域

高密度工业电源
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商用网络和服务器 PSU
商用通信电源整流器

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交5单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	工作电压	7.5V~18V
	上升时间(tr)	2.5ns
	下降时间(tf)	21ns