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NCP3418PDR2实物图
  • NCP3418PDR2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP3418PDR2

NCP3418PDR2

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP3418PDR2
商品编号
C3655259
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)1A
工作电压4.6V~13.2V
属性参数值
上升时间(tr)18ns
下降时间(tf)10ns
工作温度0℃~+85℃

商品概述

NCP3418和NCP3418A是双MOSFET栅极驱动器,针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。每个驱动器能够驱动3000 pF负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。 凭借宽工作电压范围,可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化,以实现最佳效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个MOSFET同时导通,进一步降低了开关损耗。 浮动顶部驱动器设计可承受高达30 V的VBST电压,瞬态电压高达35 V。通过向输出禁用(OD)引脚施加低逻辑电平,可将两个栅极输出拉低。欠压锁定功能确保在电源电压较低时两个驱动器输出均为低电平,热关断功能为IC提供过温保护。NCP3418A与NCP3418相同,只是没有内部电荷泵二极管。 NCP3418与ADI公司的ADP3418引脚兼容。

商品特性

  • 更快的上升和下降时间
  • 内部电荷泵二极管降低成本和元件数量
  • 热关断功能,用于系统保护
  • 集成过压保护(OVP)
  • 内部下拉电阻抑制任一MOSFET的瞬态导通
  • 抗交叉导通保护电路
  • 浮动顶部驱动器可承受高达30 V的升压电压
  • 一个输入信号控制上下栅极输出
  • 输出禁用控制可关闭两个MOSFET
  • 符合VRM 10.x规范
  • 欠压锁定
  • 提供热增强型封装
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 同步降压转换器拓扑中的单相MOSFET驱动器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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