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IRS21171STRPBF

IRS21171STRPBF

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商品型号
IRS21171STRPBF
商品编号
C3655517
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)600mA
属性参数值
拉电流(IOH)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)75ns
下降时间(tf)35ns
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)

商品概述

IRS2117、IRS21171和IRS2118是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600 V。

商品特性

  • 为自举操作设计的浮动通道
  • 最高可在+600 V下完全工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 欠压锁定
  • 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
  • 输出与输入同相
  • 符合RoHS标准
  • IRS2117和IRS2118采用PDIP8封装

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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