SI6426DQ
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6426DQ
- 商品编号
- C3291388
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF |
商品概述
IRLML6406采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 5.4 A、20 V,RDS(ON) = 35 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 40 m Ω(VGS = 2.5 V时)
- 扩展的VGSS范围(±8V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-电池保护-DC/DC转换-电源管理-负载开关