FCH20N60
600V N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH20N60
- 商品编号
- C3290651
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.08nF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的反向恢复电荷Qrr和反向恢复时间 trr，同时导通电阻RDS(on) 较低，适用于要求极高的高效转换器，非常适合用于桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
商品特性
- 650V @ TJ = 150°C
- 典型Rds(on)=0.15Ω
- 超低栅极电荷(典型Qg=55nC)
- 低有效输出电容(典型Coss.eff=110pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用