FDP16N50
N沟道,电流:16A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP16N50
- 商品编号
- C3290273
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.945nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A时,RDS(on) = 380 m Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值32 nC)
- 低Crss(典型值20 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源

