UPA2717AGR-E1-AT
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2717AGR-E1-AT
- 商品编号
- C3289583
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
~~- 更高的电流额定值-更低的导通电阻RDS(ON)-更低的电容-更低的总栅极电荷-更严格的源漏二极管正向电压VSD规格-规定了雪崩能量-采用行业标准DPAK表面贴装封装
应用领域
- 开关电源-PWM电机控制-转换器-桥接电路