UPA2716AGR-E1-AT
P沟道,电流:14A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2716AGR-E1-AT
- 商品编号
- C3289582
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1000uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@24V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。它在共源极模式下，可在高达1 GHz的频率和7 V电压下工作。该器件采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，安装在首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中，具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 PowerSO - 10塑料封装旨在提供高可靠性，是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了专门优化，具备出色的射频性能，且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz / 7.5 V条件下，输出功率P_OUT = 8 W，增益为11.5 dB
- 新型射频塑料封装