商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@14.9A,4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 88nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 9.6nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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