FDU6696
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6696
- 商品编号
- C3288533
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度和小封装内极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）进行了优化。
商品特性
- 56 A、30 V，栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9.5 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动