HUF76407D3
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76407D3
- 商品编号
- C3288528
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 3.1A，-250V，VGS = -10V时，RDS(on) = 2.1Ω
- 低栅极电荷（典型值10nC）
- 低Crss（典型值10.3pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力