FQU7N20TU
N沟道,电流:5.3A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU7N20TU
- 商品编号
- C3288527
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有出色的制造再现性。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 0.18 Ω
- 卓越的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 通孔IPAK (TO - 251)功率封装，采用管装（后缀“-1”）
- 表面贴装DPAK (TO - 252)功率封装，采用卷带封装（后缀“T4”）
应用领域
- 电机控制-DC-DC和DC-AC转换器