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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS™器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，以消除在切换电感负载的设计中的不确定性，并为应对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- rDS(ON) = 8.5 m Ω,VGS = 10 V,ID = 40 A
- rDS(ON) = 10.3 m Ω,VGS = 4.5 V,ID = 40 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制