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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.333nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 平面HD3e工艺,实现快速开关性能
- 低RDS(on),将导通损耗降至最低
- 低CISS,将驱动损耗降至最低
- 低栅极电荷
- 提供无铅封装
应用领域
- 电机控制
- 灯具控制
- 电磁阀控制
- DC-DC转换器