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RJK0390DPA-00#J5A

N通道,电流:65A,耐压:30V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RJK0390DPA-00#J5A
商品编号: C3282082
商品封装: WPAK-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积下尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

逻辑电平栅极驱动
6.5A、30V
超低导通电阻，rDS(ON) = 0.030 Ω
温度补偿PSPICE模型
温度补偿SABER模型
热阻SPICE模型
热阻SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
低压总线开关
便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	65A
	导通电阻(RDS(on))	2.9mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	54nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	8.9nF@10V
	反向传输电容(Crss)	570pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道