RM6602
N沟道和P沟道,电流:3.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM6602
- 商品编号
- C3281956
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 3.5 A
- 当栅源电压VGS=10 V时,导通电阻RDS(ON)<58 mΩ
- 当栅源电压VGS=4.5 V时,导通电阻RDS(ON)< 95 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -2.7 A
- 当栅源电压VGS=-10 V时,导通电阻RDS(ON)< 100 mΩ
- 当栅源电压VGS=-4.5 V时,导通电阻RDS(ON)< 150 mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无卤
应用领域
- 电池保护
- 开关应用