2N5246
N沟道,电流:10mA,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N5246
- 商品编号
- C3281849
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 7.2A、900V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.96Ω
- 低栅极电荷（典型值72nC）
- 低Crss（典型值30pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力