SUD15N15-95-BE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:15A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD15N15-95-BE3
- 商品编号
- C3281469
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 3.5A、500V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.5Ω
- 低栅极电荷（典型值25nC）
- 低Crss（典型值16pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-功率因数校正-基于半桥的电子灯镇流器
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